Name: KSGYR111M-S Digital MEMS Gyro Chip ±400°/s SPI I2C
Brand: Xi'an Kacise Optronics Co.,Ltd.
SKU: KSGYR111M-S
Price: 431.00 USD
Availability: InStock

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KSGYR111M-S Digital MEMS Gyro Chip ±400°/s SPI I2C

Digitale MEMS-Gyroschip SPI I2C

MEMS-Gyrosensor ± 400°/s

Gyrometerchip für Flüssigkeitsmessgeräte

Place of Origin:

CHINA

Markenname:

KACISE

Zertifizierung:

Model Number:

KSGYR111M-S

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KSGYR111M-S Digital MEMS Gyro Chip ±400°/s SPI I2C

Einzelheiten zum Produkt

Supply voltage VDDM:

+2.7V~+3.6V

Bias ZRL:

±1°/s (0 LSB Typ)

Rate range I:

±400°/s

Non-linearity NI:

±0.5%FS

Cross-axis sensitivity CS:

±5%

Hervorheben:

Digitale MEMS-Gyroschip SPI I2C

MEMS-Gyrosensor ± 400°/s

Gyrometerchip für Flüssigkeitsmessgeräte

Zahlungs- und Versandbedingungen

Minimum Order Quantity

1PCS

Packaging Details

each unit has individual box and all boxes are packed in standard packages or customers requests available

Delivery Time

5-8work days

Supply Ability

1000 Piece/Pieces per Week negotiable

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Beschreibung des Produkts

KSGYR111M-S Digital Quartz Mems Gyro Chip

Schlüsselattribute

Attribut	Wert
Versorgungsspannung VDDM	+2,7 V ~+3,6 V
Voreingenommenheit Zrl	± 1 °/s (0 LSB -Typ)
Ratenbereich i	± 400 °/s
Nichtlinearität ni	± 0,5%fs
Queraxisempfindlichkeit CS	± 5%

Produktübersicht

Der KSGYR111M-S Digitale Quarz-MEMS-Gyro-Chip verfügt über eine überlegene Stabilität des Ausgangs und niedrigem Rauschen. Dieses digitale Quarz -Gyroskop basiert auf der Quarz -MEMS -Technologie und wird mithilfe von Halbleiterverarbeitungstechniken hergestellt.

Schlüsselmerkmale

Ausgezeichneter Bias -Temperaturkoeffizient 0,0016 (°/s)/° C Typ
Zufälliger Walk mit niedrigem Winkel 0,065 °/√h Typ
Integrierter benutzerfeindlicher digitaler Filter- und Verfallfrequenz
SPI- oder I2C -Serienschnittstelle
Winkelrate -Ausgang (16 Bit oder 24 Bit Auflösung)
Betriebstemperatur -20 ° C bis +80 ° C
Eingebetteter Temperatursensor
Niedriger Stromverbrauch 900 μA Typ

Anwendungen

Anti-Vibration und Einstellungskontrolle für industrielle Anwendungen
Bewegungserkennung für menschliche Maschinenschnittstelle
Tragbare Geräte
Erkennung von medizinischen Bewegungen
Optische, Fotografie und Plattformstabilisierung
Inertialmessinstrumente

Technische Spezifikationen

Stromversorgungsparameter
Versorgungsspannung VDDM	+2,7 V ~+3,6 V
Versorgungspannung für Schnittstellen -VDDI	+1,65 V ~+3,6 V
Produktleistung
Skalierungsfaktor so	70 lsb/(°/s) ± 2%	16 Bits, Ta =+25 ℃
	17920 LSB/(°/s) ± 2%	24 Bit, Ta =+25 ℃
Skalierungsfaktor -Variation gegenüber Temperatur SPT	± 3%	VDDM = 3V, Ta =+25 ℃ Referenz
Voreingenommenheit Zrl	± 1 °/s (0 LSB -Typ)	Ta =+25 ℃
Vorspannungsschwankung über Temperatur a Zrlta	± 0,25 °/h	-10 ℃ ~+50 ℃, Ta =+25 ℃ Referenz
Vorspannungsvariation gegenüber der Temperatur B ZRLTB	± 1 °/h	-20 ℃ ~+80 ℃, Ta =+25 ℃ Referenz
Verzerrungstemperaturkoeffizient ZRLs	0,0016 (°/s)/℃ (Typ)	Vddm = 3V, Durchschnitt des Absolutwerts, Δt = 1 ℃
Ratenbereich i	± 400 °/s
Nichtlinearität ni	± 0,5%fs	Ta =+25 ℃
Queraxisempfindlichkeit CS	± 5%	Ta =+25 ℃
Aktueller Verbrauch IOP1	900 μA Typ
Schlafstrom IOP3	3 μA Typ
Geräuschdichte nd	0,0015 (°/s)/√hz	@ 10Hz, LPF -Standardeinstellung
Angle Random Walk n	0,065 °/√h
Umweltspezifikationen
Betriebstemperatur Topr	-20 ℃～+80 ℃
Lagertemperatur TSTG	-40 ℃～+85 ℃

Abmessungen

Einheit: Mm

Stichworte：

KSGYR111M-S Digital MEMS Gyro Chip ±400°/s SPI I2C

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